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BBO

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技術參數(shù)
材料β-BBO晶體
加工厚度0.01mm-20mm
表面質(zhì)量10/5
光軸精度3 分
平行度<10 秒
面型λ/10@633nm
通光孔徑>95%
鍍膜保護膜or 增透膜
支架客戶要求


晶體特性：

體結(jié)構(gòu)Trigonal, space group R3c
單孢參數(shù)a = b = 12.532?, c = 12.717?…, Z   = 6
熔點1095+5°C
相變點925+5°C
光學均勻性d n ~ 10-6/cm
莫氏硬度4
密度3.85 g/cm3
吸收系數(shù) < 0.1%/cm (at 1064nm)
比熱490 J/kg/°C
潮解性低
熱膨脹系數(shù)a, 4 x 10-6/K; c, 36 x 10-6/K
熱導率Perpendicular to c, 1.2   W/m/°C
Parallel   to c, 1.6 W/m/°C


BBO晶體非線性光學系數(shù)

相位匹配輸出波長189-3500 nm
折射率ne = 1.5425, no = 1.6551 @ 1064 nm 
ne = 1.5555, no = 1.6749 @ 532 nm 
ne = 1.6146, no = 1.7571 @ 266 nm
導熱率dno/dT = -9.3 x 10-6/°C
dne/dT = -16.6 x 10-6/°C


Sellmeier Equations (l in mm)

no2(l) = 2.7359-0.01354l2+0.01878/(l2-0.01822)

ne2(l) = 2.3753-0.01516l2+0.01224/(l2-0.01667)


BBO晶體非線性光學特性

相位匹配輸出波長189 - 1750 nm
非線性光學系數(shù)d11 = 5.8 x d36 (KDP)
d31=   0.05 x d11
d22 <   0.05 x d11
電光系數(shù)y11 = 2.7 pm/V
半波電壓48 KV (at 1064 nm)
損傷閾值5 GW/cm2 (10 ns) @1064nm
10   GW/cm2 (1.3 ns) @ 1064 nm
1 GW/cm2   (10 ns) @532 nm
7 GW/cm2   (250 ps) @ 532 nm
標準規(guī)格
型號尺寸(mm)theta(Deg)phi(Deg)鍍膜應用
BBO44724.0*4.0*7.022.80AR/AR@1064&532nmSHG@1064, Type I
BBO44744.0*4.0*7.047.60AR/AR@532&266nm4HG@1064, Type I
BBO44124.0*4.0*10.022.80AR/AR@1064&532nmSHG@1064, Type I
BBO44144.0*4.0*10.047.60AR/AR@532&266nm4HG@1064, Type I
BBO55225.0*5.0*2.029.20AR/AR@800&400nmSHG@800, Type I
BBO55125.0*5.0*1.029.20AR/AR@800&400nmSHG@800, Type I
BBO55025.0*5.0*0.3-0.529.20AR/AR@800&400nmSHG@800, Type I
BBO55125.0*5.0*0.129.20AR/AR@800&400nmSHG@800, Type I